斯达半导拟增发募资不超过35亿元 加码碳化硅功率芯片布局

斯达半导拟增发募资不超过35亿元 加码碳化硅功率芯片布局
2021-03-02 23:37:19 经济观察报

经济观察网 记者 李靖恒 3月2日晚间,斯达半导(603290.SH)发布了《2021年度非公开发行A股股票预案》公告,拟募集资金不超过35亿元。

斯达半导表示,随着世界各国对节能减排的需求越来越迫切,功率半导体器件已从传统的 工业控制和4C(通信、计算机、消费电子、汽车)领域迈向新能源、新能源汽车、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多产业。功率半导体的发展使得变频设备广泛的应用于日常的消费,促进了清洁能源、电力终端消费、以及终端消费电子的产品发展。根据智研咨询数据,2014 年全球功率半导体市场规模仅为227亿美元,2019年增长至382亿美元。

目前,中国是全球最大的功率半导体消费国,智研咨询发布的《2020-2026年中国功率半导体行业市场运作模式及投资前景展望报告》指出,目前中国的功率半导体市场规模占全球市场规模35%左右,是全球最大的功率半导体市场,约为940.8亿元。

“在新基建的产业环境下,5G、新能源汽车、数据中心、工业控制等诸多产业对功率半导体产生了巨大的需求,随着功率半导体市场的持续发展与国产替代进程的加速,功率半导体具有广阔的市场前景。”斯达半导称。

此外,全球新能源汽车市场蓬勃发展也会带动SiC芯片需求快速增长。根据EV-volumes.com的数据,2020年,全球新能源汽车(包括纯电动和插电混动车型)总销量为324 万辆,同比增长43%。EV-volumes.com公司预计,2021年电动汽车的销量将继续增长,将达到460万辆左右。

根据公告信息,本次筹集的资金将用于以下几个项目:高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化项目(20亿元)、功率半导体模块生产线自动化改造项目(7亿元)、补充流动资金(8亿元)。其中,SiC芯片是指以SiC(碳化硅)材料为基底制作的半导体芯片;功率半导体器件是指以Si(硅)或者SiC(碳化硅)等半导体材料为基底制作的,具有处理高电压,大电流能力的半导体功率器件。

斯达半导称,高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化项目预计将形成年产36万片功率半导体芯片的生产能力;而功率半导体模块生产线自动化改造项预计将形成新增年产400万片的功率半导体模块的生产能力。

数日前,信达证券电子行业分析师方竞团队在研究报告中表示,斯达半导是国内IGBT行业领军企业。(IGBT:绝缘栅双极型晶体管,一种半导体器件),2019该公司年在全球IGBT模块市场排名第8,是唯一进入前10的中国企业,并且公司营收主要来自IGBT模块销售,近年来IGBT模块营收占比均保持在98%以上。

方竞进一步介绍到,斯达半导自2005年成立以来一直专注于IGBT及模块的自主设计研发、生产和销售。公司目前已成为少数实现IGBT大规模生产的国内企业之一,先发优势明显。同时,公司针对细分行业客户对IGBT 模块产品性能、拓扑结构等的不同要求,开发了不同系列的IGBT模块产品,在变频器、新能源汽车及逆变电焊机等细分市场领域形成了一定的竞争优势。

此外,方竞的研究报告还指出,斯达半导前瞻性地布局碳化硅模块,强化了新能源汽车领域布局。碳化硅是第三代化合物半导体材料,与硅基器件相比,碳化硅模块具有损耗更低、体积更小、耐温更高等优势。尤其在电动车领域,由于单个电池容量难进一步提升,为提高续航需尽可能增加电池个数。碳化硅器件的使用可降低功耗,减小电控等部件体积,从而使得电池安排游刃有余。同时,由于碳化硅开关频率更高,在高压充电桩中采用碳化硅器件也可使得充电。

方竞认为:“虽然当前SiC成本仍较高,且技术层面仍有一定挑战。但长期来看新能源汽车领域,碳化硅器件有望逐步替代硅基IGBT。”

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