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创见发布新款“USD230I”存储卡 引入SLC缓存加速技术

创见发布新款“USD230I”存储卡 引入SLC缓存加速技术
2020年03月30日 16:10 新浪网 作者 天极网

  创见近日发布新款“USD230I”存储卡,并引入SLC缓存加速技术,这款产品设置了一个对主控透明的内部逻辑单元,可以将一小部分3D TLC闪存模拟成SLC,从而提升短时间内的写入性能,尤其适合高速连拍、高清视频录制等。得益于SLC缓存加速技术技术,创见标称这款存储卡的持续传输率最高可达100MB/s,随机访问性能则可达3400 IOPS。

创见发布新款“USD230I”存储卡 引入SLC缓存加速技术
创见发布新款“USD230I”存储卡 引入SLC缓存加速技术

  它还支持从-40℃到85℃的工业级温度范围。容量方面提供8GB、16GB、32GB、64GB四种规格,而写入寿命分别高达36TB、70TB、70TB、140TB。以其中的8GB容量为例,如果每天写满一次,可以连续用上12.6年之久。

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