本文源自:金融界

　　金融界2024年4月17日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“用于形成三维集成芯片的方法和多维集成芯片结构“，授权公告号CN113178434B，申请日期为2021年1月。

　　专利摘要显示，本发明涉及用于形成多维集成芯片结构的方法。在一些实施例中，方法可以通过将第二衬底接合至第一衬底的上表面来实施。第一边缘修整切割沿第一环路实施，并且延伸至第二衬底的第一外围部分中。第二边缘修整切割沿第二环路实施，并且延伸至第二衬底的第二外围部分中并且延伸至第一衬底中。第三边缘修整切割沿第三环路实施，并且延伸至第一衬底的第三外围部分中。本申请的实施例还涉及多维集成芯片结构。