金融界2025年2月12日消息，国家知识产权局信息显示，上海超硅半导体股份有限公司申请一项名为“单晶硅的生产装置、制备方法、单晶硅以及绝缘栅双极晶体管”的专利，公开号CN 119392351 A，申请日期为2024年10月。

　　专利摘要显示，本发明涉及晶体制备领域，尤其涉及一种单晶硅的生产装置、制备方法、单晶硅以及绝缘栅双极晶体管。单晶硅的生产装置包括：坩埚，用于放置并熔化原料；加热模块，所述加热模块环绕所述坩埚设置，包括上部的固定加热器及下部的可移动加热器，所述可移动加热器沿着晶棒提拉的方向移动，以在晶体生长的不同阶段精确控制晶体生长温度梯度和氧的扩散传输模式；磁场模块，用于在晶体生长过程中施加的非对称勾形磁场，以抑制坩埚中原料的对流，减少氧浓度，并提高氧的径向均匀性。上述技术方案能够基于300mm N型单晶硅在低氧（

　　天眼查资料显示，上海超硅半导体股份有限公司，成立于2008年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本117640.3602万人民币，实缴资本3035万人民币。通过天眼查大数据分析，上海超硅半导体股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目22次，知识产权方面有商标信息11条，专利信息205条，此外企业还拥有行政许可177个。