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存储领域的一次革命 AI火热令HBM供不应求

存储领域的一次革命 AI火热令HBM供不应求
2025年03月24日 08:00 新浪网 作者 金融界火线

  据报道,SK 海力士近日宣布推出面向AI的超高性能DRAM新产品12层(12Hi)HBM4内存,并在全球率先向主要客户出样。日前有报道称,SK海力士预计将独家供应英伟达 Blackwell Ultra架构芯片第五代12层HBM3E。

  点评:HBM(High Bandwidth Memory,高带宽内存,是一款新型的CPU/GPU内存芯片),它采用了一种独特的3D堆叠设计,将多层DRAM芯片垂直堆叠在一起,不仅提升了存储密度,也大幅增加了每个存储堆栈的容量和位宽。HBM技术的出现,可以说是存储领域的一次革命。AI的火热,令HBM成了紧俏货。业界各处都在喊:HBM 缺货!HBM增产!数据显示,未来HBM市场将以每年42%的速度增长,将从2023年的40亿美元增长到2033年的1300亿美元,这主要受工作负载扩大的AI计算推动。到2033年,HBM将占据整个DRAM市场的一半以上。

  飞凯材料(sz300398)主要产品EMC环氧塑封料,是HBM存储芯片制造技术所需要的重要材料。

  太极实业(sh600667)作为的核心封测供应商,通过与SK海力士的合资公司海太半导体掌握HBM封装测试技术,覆盖HBM3及后续产品量产需求。

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AI内存革命
来自于:北京
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