10月21日，SK海力士宣布开发第三代1Z纳米的16Gb（Gigabits）DDR4(Double Data Rate 4) DRAM。

　　根据SK海力士资料，与第二代1Y产品相比，该产品的生产效率提高了27%，并且可以在不使用超高价的EUV（极紫外光刻）曝光工艺的情况下进行生产。

　　该款1Z纳米DRAM还支持最高3200Mbps的数据传输速率，这是DDR4规格内的最高速度。且功耗也有显著提高，与基于第二代8Gb产品的相同容量模组相比，将功耗降低了约40％。

　　据悉，SK海力士第三代10纳米级DDR4 DRAM计划年内完成批量生产，从明年开始正式供应

　　图片声明：封面图片来源于正版图片库，拍信网。