近年来，半导体行业正面临摩尔定律的极限问题，但ASML、台积电等巨头却一马当先研制出更高精度的光刻机和工艺制程，让摩尔定律有希望延续。

　　11月下旬台媒报道，，台积电已经成功突破2nm工艺的瓶颈，预计2023年下半年便能够进行风险性试产；2024年实现规模量产。同时，台积电还马不停蹄地向1nm工艺迈进。

　　值得一提的是，随着工艺制程的微缩，专业晶圆代工厂对高端光刻机的数量需求也会越来越大。

　　据ASML官方透露的消息可知，一个EUV层需要一台Twinscan NXE光刻机，此外，工具生产效率提升的同时，晶圆数量也在增长。如果要为一个使用N3或者更先进工艺的超级晶圆厂准备设备的话，相关企业制造需要为这个晶圆厂配备40台EUV光刻机。

　　但EUV光刻机的年产量有限，所以代工厂时刻都在为抢购高端光刻机储备更多的资金。就在2nm技术被攻克的好消息传出的同时，国外多家媒体爆料这位中国芯片巨头台积电还趁热打铁，大量购入EUV光刻机。

　　11月19日消息，台积电已经从ASML公司处订购了13台EUV光刻机，预计2021年底进入中国。

　　12月2日台湾地区媒体最新消息，目前台积电已经采购了35台EUV光刻机，占ASML产量的半数；预计2021年底台积电在EUV光刻机上的采购总量将超过50台。

　　反观台积电的老对手三星，EUV光刻机的采购量目前还不到20台。从上述消息来看，台积电依旧领先三星，走在半导体行业晶圆代工领域前列。

　　笔者认为，如果三星不能获得大量EUV光刻机的话，该公司或许无法按照其原定计划，在3nm工艺节点上赶超台积电，成为世界第一大晶圆代工厂。

　　此前三星官方宣布了一个要在两年后赶超台积电的计划。计划的核心便是3nm工艺的量产，三星为超过台积电要冒险采用全新的GAA工艺，基于该工艺的3nm芯片在特质上优势明显。

　　而台积电在3nm工艺上依旧保守采用传统的FinFET工艺，虽然性能不激进，但却稳定、成熟。

　　三星的计划十分周密，并不惜为此投入了7500亿。但英哈大学材料科学与工程学教授崔瑞诺曾表示：如果三星在初始阶段不能够快速提高高级节点的产量，则可能会亏损。

　　在EUV光刻机数量偏少的情况下，三星顺利量产GAA工艺的3nm芯片的难度较大。而这个节点上一旦赶超失败，那么两者之间差距会进一步拉大，台积电会让三星望尘莫及。

　　文/谛林 审核/子扬 校对/知秋