来源：新浪VR

　　据业内人士透露，台积电未来的2纳米工艺会利用GAA技术，目前正以超过预期的速度进行开发。虽然三星已经计划在2021年的3纳米节点（量产）上改用GAA技术，但台积电表示，其3纳米节点将继续使用FinFet工艺，而基于GAA技术的2nm节点将在2023年下半年开始量产。

　　不过，目前台积电遥遥领先于其韩国竞争对手，大多数芯片制造商希望2021年采用5纳米工艺，继苹果之后。根据源，5nm 节点的收益率甚至比现有的 7nm 流程更好。另一方面，3nm工艺将在2022年下半年批量生产。台积电似乎相信，其5纳米和3纳米节点将足以对抗三星的3纳米GAA进程。

　　台积电的优势在于，它将继续是苹果的主要铸造合作伙伴，直到2nm GAA节点，这是联合开发的智能手机制造商的充分支持。

　　FinFet 晶体管：在这里，通过应用电荷，当使用场效应晶体管 （FET） 打开时，栅极允许电流从源流向涌动。

　　如果你想知道GAA有什么大不了的，它更多的是关于电流泄漏，因为你收缩晶体管。通常，当您打开晶体管时，电流仅在晶体管的源和漏管之间流动。但是，如果您在栅极长度方面低于某些限制，则即使晶体管关闭，电流在源之间流动并排出。

　　如上图所示，中间的门从三面覆盖源排水管。这是一个 3D 结构，如上图所示。这是一个侧视图。使用 GAA 时，门（下面为紫色）覆盖了所有四面的所有源漏通道，进一步减少了泄漏。