近几年，在半导体工艺领域，各大科技巨头可谓是你追我赶，都努力在向行业领先地位靠近。Intel公司也终于进入了10nm工艺时代，并且将在年后转入7nm工艺制程，而台积电和三星则已经完成了7nm工艺的布局并正转向5nm和3nm工艺的研究。虽然揭示信息技术进步速度的摩尔定律速度越来越缓，但并没有影响半导体工艺的发展。

　　如今，半导体工艺领域又爆出一大新消息，台积电官方宣布，正式启动2nm工艺的研发，并决定将研发工厂设置在位于台湾新竹的南方科技园。2nm工艺半导体预计2024年投入生产，从时间节奏上来看还是相当紧凑的。

　　按照台积电给出的指标，2nm工艺是一个重要的节点，2nm中的Metal Track(金属单元高度)和3nm一样维持在5x，同时Gate Pitch(晶体管栅极间距)缩小到30nm，Metal Pitch(金属间距)缩小到20nm，相比于3nm都小了23％

　　台积电没有透露2nm工艺所需要的技术和材料，领域相关人士表示，看晶体管结构示意图和目前相比并没有明显变化，能在硅半导体工艺上继续压榨到如此地步真是堪称奇迹，接下来就看能不能做到1nm了。当然，在那之前，台积电还要接连经历7nm+、6nm、5nm、3nm等多个工艺节点。

　　其中，7nm+首次引入EUV极紫外光刻技术，目前已经投入量产；6nm只是7nm的一个升级版，明年第一季度试产；5nm全面导入极紫外光刻，已经开始风险性试产，明年底之前量产，苹果A14、AMD五代锐龙、ZenFone 4都有望采纳；3nm有望在2021年试产、2022年量产。三星也早就规划到了3nm，预期2021年量产。不知道继骁龙855之后，下一款顶尖手机处理器会是谁呢？