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骁龙775G曝光,6nm工艺UFS3.1闪存,牙膏挤爆性能或超8系旗舰

骁龙775G曝光,6nm工艺UFS3.1闪存,牙膏挤爆性能或超8系旗舰
2020年09月26日 14:50 新浪网 作者 数码壹号站

  在5G中端处理器领域,高通首先发布骁龙765G 5G SoC芯片,曾一度抢得市场先机的。不过,继华为麒麟820、联发科天玑820、天玑800等中端5G SoC芯片强势推出之后,性能垫底的骁龙765G的处境就显得相当尴尬了。在超频版骁龙768G推出之后,形势其实也并未见好转,近日曝光的高通新一代中端5G SoC芯片——骁龙775G,有望改善高通在中端5G芯片领域的不利局面。

  

骁龙775G

  来自外媒的消息称,骁龙775G芯片的代号为SM7350,内部称之为Cedros,其发布日期为明年年初,并不会在今年12月的高通技术峰会上亮相。从命名上可以看出,骁龙775G应该是765G的迭代产品,采用更先进的三星6nm工艺打造,而且是高通首款6nm工艺芯片。

  

骁龙775G

  据悉三星6nm工艺是由7nm改良而来,性能方面,骁龙775G相较于7nm工艺的骁龙765G将有大幅度提升,有望改变高通在中端5G芯片领域的弱势地位。据称相比骁龙765G,骁龙775G的CPU性能提升了40%,GPU更是提升高达50%,提升幅度之高,高通此次是要把牙膏挤爆的节奏。

  

骁龙775G

  新一代骁龙775G的定位明显提高,公版测试平台的存储组合为12GB LPDDR5内存和256GB UFS 3.1闪存,其存储性能已达目前顶级水准,并支持120Hz高刷新率屏。综合来看,此次骁龙775G的整体性能得到大幅度提升,据外媒报道,其性能表现超过了旗舰级芯片骁龙855,甚至和骁龙865都有得一拼。具体性能表现如何,让我们一起拭目以待。(以上图片来源于网络,如有侵权联系删除)

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