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动作不小!三星、SK海力士同步升级中国存储工厂,冲刺高层数NAND

动作不小!三星、SK海力士同步升级中国存储工厂,冲刺高层数NAND
2026年10月21日 15:30 新浪网 作者
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  (来源:财闻)

  10月21日,据财闻海外资讯,三星电子及SK海力士正升级其位于中国的工厂,以生产更先进的记忆体晶片,以应对竞争对手带来的竞争,并满足庞大的AI需求。

  目前两间公司在中国安装光刻机等美国制造的设备,均须每年申请美国许可证。三星及SK海力士发声明确认,升级工作正在进行中,现时正在与华盛顿密切协商下进行。

  据悉,三星电子及SK海力士正推进其中国厂房生产逾200层NAND晶片,将中国厂房技术提升至韩国厂房的水平。目前三星位于西安的工厂占公司全球NAND产量约40%,公司目标将目前生产约200层NAND晶片,升级为生产286层V9 NAND晶片,目标今年12月达到每月5,000块晶圆的产量,然后于明年12月前大幅增至4万块。

  三星表示,其升级符合美国出口法规,强调升级是旨在满足包括美国客户于内的全球客户日益增长的需求,公司并未扩充生产能力或兴建新的制造设施。

  消息人士称,SK海力士亦计划将大连的设施转为生产240层或以上的NAND产品,并可能向美国寻求批准于当地对300层以上的晶片进行研发。

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