（来源：新型陶瓷）

　　10月29日，日本德山宣布，为应对半导体行业对散热需求的上升，将在先进技术事业化中心（山口县柳井市）新建生产设备，目标是把氮化铝颗粒的产能比现有水平提高约50%，计划2028年2月开始营业。

　　据悉，这次产能扩建是随着半导体性能持续提升，电子元器件对散热性能的要求预计将进一步提高的市场需求，通过此次投资，日本德山将建立从氮化铝粉体到氮化铝造粒粉的一体化生产体系。

　　早在今年9月，日本德山就宣布，为应对氮化铝粉末日益增长的需求新建生产设备，以提升生产能力预期提升约30%，计划2028年4月营业。详情：

　　氮化铝造粒粉是将氮化铝粉体加工成颗粒状，以提高其在成型加工过程中的操作便利性，随着半导体及其他电子元器件对散热材料需求的增长，氮化铝造粒粉作为保障相关器件稳定运行的散热材料，其市场需求持续增长。

　　伴随 AI 服务器光模块由 800G 向着 1.6T、3.2T 持续迭代，单模块功耗出现大幅抬升。传统氧化铝陶瓷基板受限于导热能力，已经难以满足高速、高功耗算力设备的散热需求。在此形势之下，氮化铝也由此从高端备选材料，逐步转变为高速光模块以及先进半导体封装领域的标配材料。

　　在半导体制造环节，氮化铝陶瓷又是不可或缺的关键耗材与结构件原料，覆盖热界面材料导热填料、晶圆加热器、静电吸盘、等离子刻蚀腔体部件以及各类导热绝缘结构件等诸多应用场景。

　　日本德山自1985年采用“碳热还原”工艺制备高品质氮化铝粉体，该技术制备的粉体具有近球形形貌、纯度高、烧结活性好、粒度细小、粒径分布窄等优势，与国内多数企业早年采用的直接氮化法（形貌不规则、易团聚、粒径分布宽）形成鲜明对比，其氮化铝粉体业务具有全球领先的生产能力和市场份额。