（来源：财闻）
11月3日，据财闻海外资讯援引路透社消息，三星电子将利用其位于德克萨斯州泰勒市的第二座代工厂，为AMD和英伟达（NVDA.US）生产高带宽内存（HBM）芯片的基础裸片。
报道称，该工厂将于本月正式开工建设，目前已获得满产订单，其中大部分产能将用于满足AMD的需求。这座新工厂将采用先进的2纳米工艺技术，占地面积约270万平方英尺，大约是第一座工厂的1.5倍。
此前，三星的第一座工厂已与特斯拉（TSLA.US）签订了合同。设备预计将于2029年2月开始安装，并于2030年实现量产。
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