（来源：电子技术应用ChinaAET）

　　10月22日消息，Micron（美光）昨日举行了2026年度技术网络研讨会，对DRAM、泛HBM、NAND与SSD进行了展望，本篇聚焦于基础DRAM技术。

　　美光认为在二十多年的技术探索后，4F² DRAM由于复杂度和成本上的不足没有可行的规模化路径。在传统2D 6F² DRAM面临尺寸收缩瓶颈的背景下，美光选择3D DRAM作为未来的发展路径。

　　动态随机存取存储器（DRAM）是各种电子设备（从计算机和智能手机到数据中心服务器和汽车）中使用的关键组件。DRAM 以称为“单元”的单位存储数据，单个单元所占用的面积用 F 平方表示。

　　目前大多数存储芯片采用 6F² 结构，这指的是每个存储单元在芯片上所占的空间大小。理论上，数值越小，存储单元排列越紧密，从而可以容纳更多内存。

　　本月初，长鑫表示，其在下一代存储单元架构 4F-squared 方面取得了关键进展，与 6F-squared 结构相比，相同尺寸的芯片上可以容纳更多的单元。

　　长鑫存储此前表示计划在年内推出 4F² 混合键合 DDR5 RDIMM，也有消息称三星电子在首代亚 10nm 级 DRAM 上放弃了 4F² 路线。

　　美光的DRAM工艺路线规划

　　美光的第 7 代 10nm 级 DRAM 节点 1δ 已在良率爬坡阶段；第 8 代 10nm 级节点 1ε 引入晶圆键合技术；第 1 代亚 10nm 级节点 ζÅ 已在早期开发阶段，导入 High NA EUV 光刻；第 2 代亚 10nm 级节点 ηÅ 正在寻路，计划应用新材料。

　　美光表示，1δ 工艺可带来约 25% 的代际存储密度提升，同时拥有优化的成本。这项技术将广泛用于 HBM5、vHBM、vEIM、LPDDR、DDR 等产品。

　　美光表示 DRAM CMOS 逻辑电路也将实现 3D 化，带来显著的性能改进。

　　来  源 | IT之家