美光科技正式放弃导入被视为下一代DRAM微缩技术关键关卡的4F²（4F平方）单元结构。外界解读，美光不再强行推进4F²路线，转而延续现有6F²结构，并全力押注晶圆键合、3D堆叠技术路线，试图扭转与韩国竞争对手之间的技术差距，是一次豪赌式战略抉择。 美光于当地时间21日举办技术线上研讨会，公布包含未来十年存储研发方向的多代技术路线图，对外释放上述方针。本次发布会最具冲击性的内容，就是美光对下一代DRAM单元结构做出的判断。美光在发布会资料中写明：“我们对4F²的研究已经超过20年，但不存在具备可量产性的微缩路径。” 美光果断跳过4F²，将晶圆键合与3DDRAM放在路线图核心位置。 在封装以及高带宽内存（HBM）领域，美光还全新公布最大化利用3D堆叠技术的Vertical HBM（垂直HBM）。