（来源：财闻）

　　10月14日，据财闻海外资讯，SK海力士（SKHY.US）开发总管社长安贤在第28届半导体大展上表示，到2030年，人工智能（AI）基础设施的性能规模将较今年扩大约20倍。他指出，AI推理市场正从任务复杂度、上下文长度及推理请求量三维度同步扩张，推升内存重要性。

　　因AI复用信息的KV缓存容量增大，数据需分散存储于HBM、DRAM、SSD等介质，跨介质数据搬运正成为新的性能与功耗瓶颈。安贤强调，须对“完整内存层级架构”进行整体优化。

　　为此，SK海力士持续升级现有HBM性能，并推进两项下一代内存技术研发：“3D堆叠DRAM”将DRAM堆叠于逻辑芯片之上以提升性能、降低功耗；“HBF（高带宽闪存）”将TSV硅通孔堆叠与高速IO技术移植至NAND闪存，计划在HBM与普通DRAM间搭建全新内存层级。目标HBF带宽达同代HBM的一半，容量提升约10倍。

　　公司拟推进HBF标准化并联合全球合作伙伴，同步开发CXL等下一代内存互联技术。本次展会公司展出了HBM4E（第七代）、HBF等多款AI半导体方案。