来源：金角财经

　　作者 | 田羽

　　长鑫科技的千亿利润，没能挡住股价的大起大落。

　　10月28日，长鑫科技又坐了一趟过山车：开盘涨超4%，随后涨幅一度收窄至0.28%，截至发稿，涨幅又回到3%以上。

　　但在这轮回升之前，这位曾经市值突破4万亿元的“中国股王”，已经让股民挨了一个月的跌。公司股价从9月23日的58.62元，下探至10月23日盘中最低38.75元，一度跌去约三分之一。而它上市至今，也才刚满三个月。

　　偏偏长鑫的生意，好得惊人。今年前三季度，公司预计营收达到2650亿元至2700亿元，是去年同期的8倍多；归母净利润预计达到1310亿元至1325亿元，而去年同期还亏损52.8亿元。

　　面对股价波动，高盛依然维持看多立场，将目标价由129元微调至130元。若按约678.84亿股的总股本计算，其对应市值将达到约8.82万亿元，相当于当前市值的约3倍。

　　预赚千亿、国际大行看至近9万亿市值，投资者却开始担忧红利即将见顶。长鑫究竟能靠什么，才能让市场确信不只会赚这一轮的钱？

　　高盛看到了9万亿

　　先来看看长鑫科技的炸裂业绩。

　　业绩预告显示，2026年前三季度，长鑫科技预计实现营收2650亿元至2700亿元，相比去年同期的320.84亿元，营收增加至原来的8倍多；归母净利润达1310亿元至1325亿元，相较去年同期52.8亿元的亏损实现爆发式逆袭。

　　事实上，仅今年上半年，公司营收就已达1503.1亿元，同比增长873.6%；扣非归母净利润达787.9亿元，远超去年同期的亏损23.9亿元。

　　这轮赚钱的速度，连公司此前给出的预期，都没能跟上。

　　今年5月，长鑫在招股书申报稿中预测上半年营收为1100亿元至1200亿元，扣非归母净利润为520亿元至580亿元。最终落地的各项财务数据，均显著超越了预期上限。

　　最直接的原因，当然是存储芯片涨价。不过，行情再好，也得有合适的产品、有足够的产能，才能接住订单。长鑫过去几年的投入，恰好在这时候开始见效。

　　先看产品。

　　过去，长鑫的收入主要依靠LPDDR系列，也就是常见于智能手机等移动设备的低功耗内存。随着AI算力和数据中心建设升温，面向服务器、电脑等市场的DDR产品，开始贡献核心增量。

　　2023年，DDR产品营收占比仅约两成；而到了今年上半年，该比例已大幅提升至46.22%，占据近半壁江山。长鑫的产品线，也随之从过去偏重的移动设备市场，进一步向电脑、服务器等领域扩展。

　　与此同时，工厂的生产能力也在增加。

　　2023年末，公司固定资产账面价值为844.52亿元，到今年6月底已经增至1815.63亿元。仅2025年，合肥一期、合肥二期及北京生产线，就有约520.15亿元在建工程转入固定资产。

　　这些生产线也跑得更满了。公司12英寸晶圆生产线的产能利用率，从2023年的87.06%升至2025年的95.73%，今年上半年继续保持高位。

　　不过，长鑫科技业绩虽然炸裂，但市场对此多少已经有了预期，因此股价突然反弹背后可能还有消息面的推动。

　　其中一条重磅消息就来自英伟达创始人黄仁勋。当地时间10月22日，黄仁勋在柏林GTC大会期间接受采访时表示，到2029年，内存芯片市场出现供应过剩的可能性不大。他还特别提到，英伟达是全球首家将LPDDR内存引入数据中心的公司，由此实现了显著的能效提升，未来仍会继续大量使用这类内存。

　　当被问及英伟达是否考虑与中国长鑫存储展开合作时，黄仁勋并没有直接否定，而是明确表示对此持开放态度。

　　卖方机构亦密集释放强烈看多信号。中国银河证券在9月下旬的研报中预测，到2028年，长鑫科技的年营收将突破8500亿元，归母净利润将超5600亿元。

　　高盛则基于三季度业绩指引，进一步上调了公司2026至2030年的盈利预测，核心依据在于中国本土DRAM需求的强劲释放，以及全球客户分散供应链带来的结构性红利。高盛将长鑫未来12个月的目标价微调至130元，维持“买入”评级。

　　若按678.84亿股总股本折算，130元的目标价将推升长鑫科技总市值至8.82万亿元。参照10月26日收盘价及汇率计算，这一市值不仅将超越三星电子和美光科技，更相当于特斯拉总市值的85%左右。

　　至少在这些看多的研报里，长鑫最赚钱的时候，还没有到。

　　除了周期红利，

　　长鑫还有什么

　　近9万亿元的预期，不能只靠今年这一份利润来算。长鑫需要让市场相信，眼下的赚钱能力，还能维持相当一段时间。

　　难就难在，存储芯片恰好是一门周期性很强的生意。手机、电脑卖得好，芯片缺货、涨价，厂商便砸钱扩产。等新产能陆续投产，需求却可能已经降温，库存积压，价格下跌，厂商又得减产、清库存，等待下一轮复苏。

　　2022至2023年的行业寒冬历历在目。2022年11月，美光科技被迫宣布将DRAM和NAND晶圆投片量削减20%。即便是全球存储巨头，也难逃周期下行时的战略收缩。

　　历史上，DRAM行业存在清晰的“三年周期律”。若按此规律推演，本轮始于2025年下半年的行业上行期，可能在2028年前后再次面临产能释放与需求放缓的考验。

　　市场核心的担忧在于：当本轮扩产产能全部释放后，是否存在足够的下游需求消化新增供给？

　　但这一次，需求确实有了变化。

　　不同于以往单纯依赖消费电子（手机、PC）换机潮驱动，AI基础设施的建设正在为存储产业注入海量的刚性增量需求。

　　应用端的变化已经相当直观。

　　OpenRouter披露，2026年9月14日当周，该平台Token用量达到128.4万亿。希捷则在2025年投资者日援引IDC预测，2028年全球全年创建和复制的数据量将达到394ZB，相当于2020年72ZB的约5.5倍。AI大模型的参数加载与实时推理，无一不需要海量高效的DRAM作为算力支撑。

　　更直接的证据，是科技公司正在花出去的钱。

　　根据IDC数据，全球AI基础设施支出从2024年的1530亿美元增加到2025年的3180亿美元，2026年预计达到4970亿美元，同比增长约56%；到2030年，有望达到1.21万亿美元，2025年至2030年的复合增长率约为30%。

　　这个数据关键在于，2028年后AI基建投入仍有望继续高速增长，有望平抑过去“扩产即过剩”的剧烈波动。尽管价格短期仍会有所起伏，但本轮周期的景气持续时间有望大幅延长，从而改写传统的“三年周期律”。

　　当然，再强的景气周期也不可能永远持续，无论是三年还是五年，存储芯片价格终究可能迎来调整。但相比三星、SK海力士、美光这些海外巨头，长鑫科技还有一张特殊的牌，那就是国产替代。

　　在供应链安全与技术自主可控的趋势下，国内科技企业在芯片采购中，将供应链的安全性与稳定度提升到了前所未有的战略高度。

　　2023年，六部门提出强化存力保障、推动先进存储技术创新。与此同时，美国自2022年以来持续收紧半导体出口管制，2024年将限制扩大至更多制造设备、软件工具及HBM等领域，2025年又调整在华外资晶圆厂的相关豁免安排。

　　这让国内科技企业采购芯片时，除了价格、性能，还要考虑供货能否长期稳定。

　　长鑫作为国内少数具备大规模DRAM研发制造能力的企业之一，有望承接更多国产替代需求。目前，长鑫已与阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、vivo、传音、荣耀、OPPO等头部企业开展合作，产品覆盖云计算、服务器、电脑和手机。

　　对三星、SK海力士、美光而言，增长主要来自全球需求扩张、产品升级和市场份额竞争。而长鑫则在这些机会之外，多了一层国产替代空间。即便行业增速放缓，它仍有机会争取缓解周期阵痛、继续增长。

　　这或许才是长鑫在本轮周期中，被高盛喊出近9万亿、甚至市值超过海外巨头的关键。

　　钱赚到了，

　　追赶还没有结束

　　资本市场的狂欢之外，决定长鑫科技最终命运的，依然是其能否在先进制程与前沿技术上全面缩小与国际巨头的差距。

　　这场技术追赶，长鑫已经持续投入了多年。

　　2023年至2025年，公司研发投入从46.70亿元增加到95.93亿元，两年增长一倍多。2026年上半年，又投入68.59亿元，同比增长87.38%。截至今年6月底，公司拥有4484项境内专利，其中发明专利3744项，另外还有3400项境外专利。

　　研发成果也逐步实现了商业化落地。公司产品线已成功从早期相对成熟的DDR4、LPDDR4X，跨越升级至DDR5、LPDDR5X及新一代LPDDR6，市场覆盖面显著扩大。

　　2026年9月20日，长鑫正式宣布其第五代内存技术平台（G5平台）实现量产，标志着公司迎来又一重要技术里程碑。

　　这次升级的意义，首先体现在芯片产出上。按每颗芯片容量同为8Gb的口径折算，G5平台每片晶圆能产出的芯片数量，比上一代至少增加50%。投入差不多的晶圆，长鑫能够生产出更多芯片，也就有机会把单颗芯片的制造成本进一步降下来。

　　支撑这一变化的是制造工艺的持续改进。比如，长鑫通过调整工艺流程、引入新材料，将存储电容的深宽比提高到了45∶1，通俗来说就是在很窄的空间里，把电容结构做得更深，让有限的芯片面积能够容纳更多存储单元。

　　此外，在这次大会上，长鑫展示了两款基于G5平台打造的LPDDR5X移动内存产品，单颗容量达到24Gb，比2025年推出的上一代16Gb产品增加了50%。两款产品采用不同的封装规格，分别为496Ball和245Ball，可以满足中高端智能手机、便携式电子设备等不同需求，目前都已进入规模量产阶段。

　　在高端移动存储领域，长鑫同样取得了实质性突破。

　　9月7日，长鑫宣布LPDDR6成功实现量产商用，并首发搭载于小米18 Fold折叠屏旗舰手机。该产品封装容量为16GB，峰值传输速率高达12800Mbps。

　　然而，面对全球三大存储巨头的技术演进，长鑫的技术追赶依然面临不小的代际差距。

　　在先进制程上，三星早在2023年5月即量产第五代12纳米级DRAM，并于2026年2月实现采用第六代10纳米级工艺（引入4纳米逻辑制程）的HBM4量产；SK海力士与美光的第六代技术平台也已实现规模化出货。

　　在LPDDR6商业化进程上，SK海力士于今年3月宣布完成LPDDR6开发，传输速率达到10700Mbps，并计划在下半年开始供货。三星的16GB LPDDR6已通过高通新一代骁龙平台验证；美光亦已向客户送样。

　　更值得关注的差距，在HBM。

　　作为AI算力芯片的核心配套，HBM是海外巨头盈利能力最强、竞争最激烈的战场。今年2月至二季度期间，三星、美光与SK海力士已先后宣布实现HBM4的规模化量产与客户出货。

　　相比之下，长鑫尚未公布同等商业化阶段的HBM规模量产和业绩贡献数据。

　　对于长鑫科技而言，本轮存储超级周期最大的意义，或许在于为其赢得了宝贵的“战略缓冲期”：芯片涨价带来了丰厚的利润现金流，AI浪潮开辟了长期的需求空间，而国产替代则锁定了坚实的本土基本盘。

　　三股力量叠加，长鑫得到的不只是眼前的业绩爆发，更是持续投入研发的资金、扩大生产规模的市场，以及追赶国际巨头最宝贵的时间。