来源：@究竟视频微博

　　#美光长鑫产生分歧#【长鑫押注4F²，#美光不跟长鑫新架构#：总裁称该方向“无实际收益”】美光科技（MU.O）在当地时间10月21日召开的技术研讨会上，回应了一些外界近期关心的问题。在DRAM（动态随机存取存储器）架构上，长鑫存储本月早些时候推出4F²。该架构据称单位面积晶体管数量可比目前主流的6F²架构更多，且一定程度摆脱了工艺瓶颈，推出后受到海外关注。此次美光科技总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer（‌斯科特·德波尔‌）回应称，美光将沿着6F²路径并开发3D DRAM，不做4F²，理由是复杂度与成本上升。美光研究了4F² 20年，认为这个方向没有可行微缩路径，沿着这个方向没有实际收益。“关于什么在驱动DRAM的晶圆位密度增加，外界存在一些用词上的误解。电容间距、电容尺寸和尺寸参数实际上才是决定位密度理论极限的关键。一切都围绕电容间距进行优化，在其之下可以通过4F²或6F²进行优化并适配给定的电容尺寸。真正的关键在于，在给定的电容间距下如何优化工艺和成本。”Scott DeBoer称，部分关于4F²与6F²的比较多少有些故弄玄虚（smoke and mirrors）。