2024年12月20日，陕西生益科技有限公司主导制定的IEC国际标准新提案《印制电路用磁介质材料的相对磁导率和磁损耗角正切值测试方法 阻抗分析仪法》顺利通过国内专家论证；中国电子技术标准化研究院、苏州生益科技有限公司、广东生益科技股份有限公司等制定的《集成电路用双马来酰亚胺/三嗪（BT）封装基材》国家标准讨论稿顺利通过研讨。

　　本次会议在北京召开，IEC论证会由全国印制电路标准化技术委员会（SAC/TC47）主办，生益科技承办；国标研讨会由生益科技牵头组织。

　　《印制电路用磁介质材料的相对磁导率和磁损耗角正切值测试方法 阻抗分析仪法》IEC国际标准新提案由陕西生益科技有限公司、中国电子标准化研究院、广东生益科技股份有限公司等共同参与。来自全国行业内的15个单位的17位专家对该标准项目进行了专业、细致和认真的审议，与会专家一致同意该项IEC国际标准提案通过论证。

　　该提案是印制电路用磁介质材料的相对磁导率和磁损耗角正切值测试方法，该国际标准的制定为新能源汽车/高频通信/无线充电等新兴电子信息领域相关产品性能的检测提供了依据，能提升我国检测技术在国际市场的声誉，从而促进我国印制电路用磁介质覆铜板等相关产业的发展和技术进步，有利于国际市场开拓。

　　《集成电路用双马来酰亚胺/三嗪（BT）封装基材》由中国电子技术标准化研究院、苏州生益科技有限公司、广东生益科技股份有限公司等共同制定。

　　该标准的制定，不仅可为制造企业提供统一的技术指导和依据支撑，而且能够完善国家标准体系，填补我国该类产品标准空白。