内存供应紧张的局面预计将进一步加剧，这一趋势大概率贯穿2027年至2028年，甚至可能延续至2030年之后。

　　一、当前供需已处于“非常紧张”状态

　　核心产品全线告急：据TrendForce数据，当前DRAM内存交货周期长达20周，供应评级为“非常紧张”；企业级SSD及ABF基板同样处于严重短缺状态。

　　价格加速上涨：2026年第四季度DRAM合约价格已启动显著上涨，ABF基板价格自2026年第三季度起环比上涨10%至15%，并预计持续至2027年底。

　　库存水位极低：存储芯片行业库存已降至不足10天的极低水平，供应吃紧态势明显。

　　二、AI需求爆发是加剧紧张的核心推手

　　需求端双涨驱动：AI加速卡出货量持续攀升，叠加单卡存储配置大幅提升（如Rubin架构单GPU的HBM配置达288GB、LPDDR达384GB），形成存储需求的双重拉动。

　　产能被高端产品挤占：三星、SK海力士、美光等原厂将70%至80%的先进产能优先转向利润更高的AI用HBM内存，直接挤压了消费级DRAM和NAND的供给。

　　供需缺口持续扩大：花旗预计2027年DRAM供需缺口将达-8.7%，2028年进一步扩大至-9.7%；NAND缺口也将在2027年达到-6.1%。

　　三、机构预判：紧张态势将延续至2028年以后

　　大厂高管密集预警：美光CEO表示2027和2028财年的供需状况会比2026年紧张得多，目前看不到供需恢复平衡的拐点；英特尔CEO陈立武预警内存短缺还会继续恶化，价格已飙涨至原来的五到七倍。

　　扩产远水解不了近渴：新建存储工厂从动工到量产需18至24个月甚至更久，美光高管称有意义的新增供应要到2028年才开始爬坡。

　　长期协议锁定供应：美光已签订26份长期供应协议，总金额达320亿美元，部分签到2031年；2027年超过75%的产能已被客户锁定。

本文由AI生成